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01.01.2015 | Ausgabe 1/2015

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 1/2015

Microwave dielectric properties of H3BO3-doped Ca0.61La0.39Al0.39Ti0.61O3 ceramics

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 1/2015
Autoren:
Bin Tang, Zi-xuan Fang, Hao Li, Lin Liu, Shu-ren Zhang

Abstract

Preparation and microwave dielectric properties of H3BO3-doped Ca0.61La0.39Al0.39Ti0.61O3 ceramics have been widely investigated. As H3BO3 addition increased from 0.02 to 2.00 wt%, a single phase with tetragonal structure was formed. Boron diffusion and location at vacancies and grain boundaries in ceramic matrix caused the decrease of the lattice parameters, and the addition of H3BO3 resulted in the liquid phase sintering mechanism, which effectively improved their relative densities and lowered the sintering temperature. The H3BO3-doped Ca0.61La0.39Al0.39Ti0.61O3 ceramics have a low sintering temperature of 1,340 °C and a stable τf value. Microwave dielectric properties of 0.02 wt% H3BO3-doped Ca0.61La0.39Al0.39Ti0.61O3 ceramics were: εr = 41.6, Q × f = 48,565 GHz and τf = −0.66 ppm/°C. They could be considered as promising candidate materials for base stations applications.

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