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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 10/2019

01.10.2019 | ELECTRONIC PROPERTIES OF SEMICONDUCTORS

Microwave Magnetic Absorption in HgSe with Co and Ni Impurities

verfasst von: A. I. Veinger, I. V. Kochman, D. A. Frolov, V. I. Okulov, T. E. Govorkova, L. D. Paranchich

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 10/2019

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Abstract

Features of magnetic-field-dependent microwave absorption in HgSe samples doped with Co and Ni impurities in different concentrations are investigated. The electron-spin resonance spectra of weakly coupled Co atoms and peculiarities of the magnetic-absorption variation in a magnetic field passing through the zero value are established. The main parameters of the electron-spin resonance spectra and temperature and angular dependences of microwave absorption in weak fields are determined.
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Literatur
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A. I. Veinger, T. V. Tisnek, I. V. Kochman, and V. I. Okulov, Semiconductors 51, 163 (2017).ADSCrossRef
Metadaten
Titel
Microwave Magnetic Absorption in HgSe with Co and Ni Impurities
verfasst von
A. I. Veinger
I. V. Kochman
D. A. Frolov
V. I. Okulov
T. E. Govorkova
L. D. Paranchich
Publikationsdatum
01.10.2019
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 10/2019
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782619100233

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