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01.10.2019 | ELECTRONIC PROPERTIES OF SEMICONDUCTORS | Ausgabe 10/2019

Semiconductors 10/2019

Microwave Magnetic Absorption in HgSe with Co and Ni Impurities

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 10/2019
Autoren:
A. I. Veinger, I. V. Kochman, D. A. Frolov, V. I. Okulov, T. E. Govorkova, L. D. Paranchich
Wichtige Hinweise
Translated by E. Bondareva

Abstract

Features of magnetic-field-dependent microwave absorption in HgSe samples doped with Co and Ni impurities in different concentrations are investigated. The electron-spin resonance spectra of weakly coupled Co atoms and peculiarities of the magnetic-absorption variation in a magnetic field passing through the zero value are established. The main parameters of the electron-spin resonance spectra and temperature and angular dependences of microwave absorption in weak fields are determined.

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