Anzeige
Erschienen in:
2018 | OriginalPaper | Buchkapitel
14. Microwave Transistors
verfasst von : Andrey D. Grigoriev, Vyacheslav A. Ivanov, Sergey I. Molokovsky (deceased)
Erschienen in: Microwave Electronics
Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.
Wählen Sie Textabschnitte aus um mit Künstlicher Intelligenz passenden Patente zu finden. powered by
Markieren Sie Textabschnitte, um KI-gestützt weitere passende Inhalte zu finden. powered by
Abstract
Features of disigning field and bipolar transistors in the microwave range are considered. The main attention is paid to a field effect transistor with a Schottky barrier control on gallium arsenide. Equivalent schemes, physical-topological models and temperature models are presented. Features of functioning, parameters and characteristics are discussed. The noise model is analized.