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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 5/2019

23.01.2019

Modulation of resistive switching in Pt/LiCoO2/SiO2/Si stacks

verfasst von: Qi Hu, Anping Huang, Xinjiang Zhang, Runmiao Li, Qin Gao, Meng Wang, Mei Wang, Hongliang Shi, Zhisong Xiao, Paul K. Chu

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 5/2019

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Abstract

Pt/LiCoO2/SiO2/Si stacks are fabricated by pulsed laser deposition and annealed at different annealing temperature. Pt/LiCoO2/SiO2/Si stacks exhibit lower current and higher high resistance state/low resistance state ratio than other stacks with homogeneous resistive switching. It is found that resistive switching behavior of Pt/LiCoO2/SiO2/Si stacks can be modulated by LiCoO2 crystal structures. The Pt/LiCoO2/SiO2/Si stacks with R-3m LiCoO2 phase show larger maximum currents and better state stability than samples with amorphous LiCoO2, and samples with amorphous or R-3m LiCoO2 phase exhibit non-homogeneous or homogeneous resistive switching, respectively. The reasons for the different resistive switching behaviors are investigated and discussed. These findings provide insights into how to improve the performance of Pt/LiCoO2/SiO2/Si stacks and a further understanding of the homogeneous resistive switching behavior.
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Metadaten
Titel
Modulation of resistive switching in Pt/LiCoO2/SiO2/Si stacks
verfasst von
Qi Hu
Anping Huang
Xinjiang Zhang
Runmiao Li
Qin Gao
Meng Wang
Mei Wang
Hongliang Shi
Zhisong Xiao
Paul K. Chu
Publikationsdatum
23.01.2019
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 5/2019
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-019-00768-5

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