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2007 | OriginalPaper | Buchkapitel

Monte Carlo Modeling of Schottky Contacts on Semiconducting Carbon Nanotubes

verfasst von : H. -Nha Nguyen, H. Cazin d’Honincthun, C. Chapus, A. Bournel, S. Galdin-Retailleau, P. Dollfus, N. Locatelli

Erschienen in: Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Verlag: Springer Vienna

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Metal/carbon nanotube Schottky contacts are studied using particle Monte Carlo Simulation. The developed model is based on the WKB approximation and on the Landauer formula. Results are in fairly good agreement with experimental data.

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Metadaten
Titel
Monte Carlo Modeling of Schottky Contacts on Semiconducting Carbon Nanotubes
verfasst von
H. -Nha Nguyen
H. Cazin d’Honincthun
C. Chapus
A. Bournel
S. Galdin-Retailleau
P. Dollfus
N. Locatelli
Copyright-Jahr
2007
Verlag
Springer Vienna
Buch
Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007

Print ISBN: 978-3-211-72860-4

Electronic ISBN: 978-3-211-72861-1

Copyright-Jahr: 2007

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_75