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2023 | OriginalPaper | Buchkapitel

4. MOS-Feldeffekttransistoren

verfasst von : Peter Baumann

Erschienen in: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen

Verlag: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Zusammenfassung

Beschrieben wird die Extraktion der Modellparameter von N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET aus dem CMOS-Array CA 3600. Einige Parameter wie die Schwellspannung oder die Steilheit lassen sich aus der Übertragungskennlinie gewinnen. Dabei wird der auch der Einfluss der Bulk-Elektrode erfasst. Die Bulk-Drain- und Bulk-Source-Kapazitäten werden über die Frequenzabhängigkeit der maximalen stabilen Leistungsverstärkung ermittelt.

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Literatur
1.
CADENCE: OrCADPSPICE Demo-Versionen 9.2 bis 16.5
2.
Hoefer, E.: Nielinger, H.:SPICe. Analyseprogramm. Springer- Verlag, (1985)
3.
Sischka, F.: Notes on Modeling the Bipolartransistor, Hewlett-Packard, (1991)
4.
Baumann, P., Möller, W.: Schaltungssimulation mit Design Center, Fachbuchverlag Leipzig, (1994)
5.
Khakzar, H.: Entwurf und Simulation von Halbleiterschalungen mit PSPICE, expert-verlag (2006)
6.
Laker, K. Sansen, W.:Design of Analog Integrated Circuits and Systems, MCGraw-Hill (1994)
Metadaten
Titel
MOS-Feldeffekttransistoren
verfasst von
Peter Baumann
Copyright-Jahr
2023
Buch
Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen

Print ISBN: 978-3-658-40956-2

Electronic ISBN: 978-3-658-40957-9

Copyright-Jahr: 2023

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-658-40957-9_4