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Erschienen in:
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2012 | OriginalPaper | Buchkapitel

MOS-Feldeffekttransistoren

verfasst von : Prof. Dr.-Ing. habil. Peter Baumann

Erschienen in: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen

Verlag: Springer Fachmedien Wiesbaden

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Ähnlich wie bei den Sperrschichtfeldeffekttransistoren unterscheidet man bei den MOSFET zwei Kennlinienbereiche.

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Metadaten
Titel
MOS-Feldeffekttransistoren
verfasst von
Prof. Dr.-Ing. habil. Peter Baumann
Copyright-Jahr
2012
Verlag
Springer Fachmedien Wiesbaden
Buch
Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen

Print ISBN: 978-3-8348-2494-3

Electronic ISBN: 978-3-8348-2495-0

Copyright-Jahr: 2012

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-8348-2495-0_4

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    Bildnachweise