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Erschienen in: Journal of Electronic Materials 10/2021

19.07.2021 | Original Research Article

MoSe2 Thin Films and Thin-Film Transistors Prepared by Electron Beam Evaporation

verfasst von: Jingfeng Wang, Yue Zhang, Lingran Wang, Ning Yang

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 10/2021

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Abstract

The preparation of large-area uniform continuous MoSe2 films is a challenge, which greatly limits its large-scale application. It is of great importance to control the preparation conditions to obtain a single-phase structure and excellent semiconductive properties. Herein, we report the preparation of thin MoSe2 films from Mo films using electron beam evaporation. The effects of the evaporation temperature, growth temperature, and growth time on the phase structure and stoichiometric ratio of thin MoSe2 films were investigated. It was concluded that the optimal preparation conditions of MoSe2 are a Se source temperature of 400℃, growth temperature of 600℃, and selenization time of 3 h. It was confirmed that thin MoSe2 films with a 2H phase prepared from a thin Mo film exhibit excellent semiconductor properties in a transistor device.

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Metadaten
Titel
MoSe2 Thin Films and Thin-Film Transistors Prepared by Electron Beam Evaporation
verfasst von
Jingfeng Wang
Yue Zhang
Lingran Wang
Ning Yang
Publikationsdatum
19.07.2021
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 10/2021
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-021-09109-x

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