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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 19/2018

03.08.2018

Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device

verfasst von: Bo Zhang, Vitezslav Zima, Tomas Mikysek, Veronika Podzemna, Pavel Rozsival, Tomas Wagner

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 19/2018

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Abstract

A new type of memory device, based on Ag and Cu doped Ge2Se3 chalcogenide, was designed and investigated by a new method, referred to as “one pulse SET method”. The device shows multilevel resistance states. A resistance state between ON and OFF states was found with a wide range of bias. The multilevel resistance behavior could be caused by the formation and dissolution of Ag and Cu filaments. The energy-dispersive X-ray spectroscopy mapping and scanning electron microscope results prove the distribution of Cu and Ag elements in the film.
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B. Zhang, V. Prokop, L. Strizik, Z. Vitezslav, Chalcogenide Lett. 14, 291 (2017)
Metadaten
Titel
Multilevel resistive switching in Cu and Ag doped CBRAM device
verfasst von
Bo Zhang
Vitezslav Zima
Tomas Mikysek
Veronika Podzemna
Pavel Rozsival
Tomas Wagner
Publikationsdatum
03.08.2018
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 19/2018
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-018-9778-5

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