Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 1/1998

01.01.1998 | Atomic Structure and Non-Electronic Properties of Semiconductors (Mechanical and Thermal Properties, Diffusion, etc.)

Nonequilibrium segregation of phosphorus in the system silicon dioxide-silicon

verfasst von: O. V. Aleksandrov, N. N. Afonin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 1/1998

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …
Vorheriger Artikel The history and future of semiconductor heterostructures
Nächster Artikel High-resolution x-ray diffraction study of InAs-GaAs superlattices grown by molecular-beam epitaxy at low temperature

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Metadaten
Titel
Nonequilibrium segregation of phosphorus in the system silicon dioxide-silicon
verfasst von
O. V. Aleksandrov
N. N. Afonin
Publikationsdatum
01.01.1998
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 1/1998
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1187351

Weitere Artikel der Ausgabe 1/1998

Semiconductors 1/1998 Zur Ausgabe

Amorphous, Glassy, and Porous Semiconductors

Relaxation of light-induced metastable state of boron-doped p-type a-Si:H

Los-Dimensional Systems

Interimpurity light absorption in thin wires of III-V-type semiconductors

Low-Dimensional Systems

Formation of InAs quantum dots in a GaAs matrix during growth on misoriented substrates

Electronic and Optical Properties of Semiconductors

Filling of dislocation levels in strong electric fields

Semiconductors Structures, Interfaces, and Surface

Temperature anomalies of the work function and relaxation of the surface conductivity of n-type Si in the presence of structural defects

Electronic and Optical Properties Semiconductors

Optical characteristics of 1.18-eV luminescence band complexes in n-GaAs:Sn(Si): Results of a photoluminescence study with polarized resonant excitation