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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 6/2015

01.06.2015 | Spectroscopy, Interaction with Radiation

On the effect of bias on the behavior of MOS structures subjected to ionizing radiation

verfasst von: O. V. Aleksandrov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 6/2015

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Metadaten
Titel
On the effect of bias on the behavior of MOS structures subjected to ionizing radiation
verfasst von
O. V. Aleksandrov
Publikationsdatum
01.06.2015
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 6/2015
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782615060020

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