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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 10/2016

01.10.2016 | Physics of Semiconductor Devices

On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm

verfasst von: I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, E. S. Kolodeznyi, V. E. Bougrov, A. S. Kurochkin, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, I. M. Gadzhiev, M. S. Buyalo, Yu. M. Zadiranov, A. A. Usikova, Yu. M. Shernyakov, A. V. Savelyev, I. A. Nyapshaev, A. Yu. Egorov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 10/2016

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Metadaten
Titel
On the gain properties of “thin” elastically strained InGaAs/InGaAlAs quantum wells emitting in the near-infrared spectral region near 1550 nm
verfasst von
I. I. Novikov
L. Ya. Karachinsky
E. S. Kolodeznyi
V. E. Bougrov
A. S. Kurochkin
A. G. Gladyshev
A. V. Babichev
I. M. Gadzhiev
M. S. Buyalo
Yu. M. Zadiranov
A. A. Usikova
Yu. M. Shernyakov
A. V. Savelyev
I. A. Nyapshaev
A. Yu. Egorov
Publikationsdatum
01.10.2016
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 10/2016
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782616100201

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