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01.10.2019 | XXIII INTERNATIONAL SYMPOSIUM “NANOPHYSICS AND NANOELECTRONICS”, NIZHNY NOVGOROD, MARCH 11–14, 2019 | Ausgabe 10/2019

Semiconductors 10/2019

On the Intracenter Relaxation of Shallow Antimony Donors in Strained Germanium

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 10/2019
Autoren:
V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin
Wichtige Hinweise
Translated by E. Bondareva

Abstract

Long-wavelength acoustic phonon-assisted relaxation rates for the excited 1s(T), 2p0, 2s, 3p0, 2p±, 4p0, and 3p± states of antimony donors in a germanium crystal are calculated. The effect of the uniaxial compressive strain of a crystal along the [111] crystallographic direction on the relaxation rates is discussed. The results of calculations are compared with the measured times of relaxation of nonequilibrium states of donor centers by the pump-probe method. A comparison with the times obtained experimentally by the submillimeter photoconductivity method is made.

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