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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 6/2017

01.06.2017 | Physics of Semiconductor Devices

On the limit of the injection ability of silicon p +–n junctions as a result of fundamental physical effects

verfasst von: T. T. Mnatsakanov, M. E. Levinshtein, V. B. Shuman, B. M. Seredin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 6/2017

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Metadaten
Titel
On the limit of the injection ability of silicon p +–n junctions as a result of fundamental physical effects
verfasst von
T. T. Mnatsakanov
M. E. Levinshtein
V. B. Shuman
B. M. Seredin
Publikationsdatum
01.06.2017
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 6/2017
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782617060227

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