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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 9/2018

01.09.2018 | SPECTROSCOPY, INTERACTION WITH RADIATION

Optical Properties and the Mechanism of the Formation of V2O2 and V3O2 Vacancy–Oxygen Complexes in Irradiated Silicon Crystals

verfasst von: E. A. Tolkacheva, V. P. Markevich, L. I. Murin

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 9/2018

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Abstract

The processes of the formation and annealing of VnOm (n, m ≥ 2) vacancy–oxygen complexes in Czochralski silicon crystals irradiated with fast electrons and reactor neutrons have been studied by infrared absorption Fourier spectroscopy. A number of arguments are presented in favor of identification of absorption bands at 829.3 and 844.2 cm–1 as being related to local vibrational modes of V2O2 and V3O2 complexes, respectively.
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Metadaten
Titel
Optical Properties and the Mechanism of the Formation of V2O2 and V3O2 Vacancy–Oxygen Complexes in Irradiated Silicon Crystals
verfasst von
E. A. Tolkacheva
V. P. Markevich
L. I. Murin
Publikationsdatum
01.09.2018
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 9/2018
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782618090221

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