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Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 8/2016

01.08.2016 | Physics of Semiconductor Devices

Optical properties of photodetectors based on single GaN nanowires with a transparent graphene contact

verfasst von: A. V. Babichev, H. Zhang, N. Guan, A. Yu. Egorov, F. H. Julien, A. Messanvi, C. Durand, J. Eymery, M. Tchernycheva

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 8/2016

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Metadaten
Titel
Optical properties of photodetectors based on single GaN nanowires with a transparent graphene contact
verfasst von
A. V. Babichev
H. Zhang
N. Guan
A. Yu. Egorov
F. H. Julien
A. Messanvi
C. Durand
J. Eymery
M. Tchernycheva
Publikationsdatum
01.08.2016
Verlag
Pleiades Publishing
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 8/2016
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S106378261608008X

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