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Erschienen in:

01.04.2021 | Cover Story

Optimizing the Internal Structure and Control of Power Semiconductor Modules

verfasst von: Pierre Calmes, Tobias Keller, Daniel Schneider

Erschienen in: ATZelectronics worldwide | Ausgabe 4/2021

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Excerpt

The use of the semiconductor material silicon carbide in power semiconductors for traction inverters demands optimal control by novel gate units and as well electromagnetic design. Furthermore, the efficiency gains offered by very low-loss SiC semiconductors can only be achieved with good thermal design that allows an ideal current distribution within the modules, as Hitachi ABB Power Grids und NXP show. …

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Metadaten
Titel
Optimizing the Internal Structure and Control of Power Semiconductor Modules
verfasst von
Pierre Calmes
Tobias Keller
Daniel Schneider
Publikationsdatum
01.04.2021
Verlag
Springer Fachmedien Wiesbaden
Erschienen in
ATZelectronics worldwide / Ausgabe 4/2021
Elektronische ISSN: 2524-8804
DOI
https://doi.org/10.1007/s38314-021-0592-0

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