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01.07.2013 | Ausgabe 7/2013

Optical and Quantum Electronics 7/2013

Parameter determination from current–voltage characteristics of HgCdTe photodiodes in forward bias region

Zeitschrift:
Optical and Quantum Electronics > Ausgabe 7/2013
Autoren:
Yang Li, Zhen-Hua Ye, Chun Lin, Xiao-Ning Hu, Rui-Jun Ding, Li He

Abstract

Current–voltage characteristics of HgCdTe photodiodes in the forward bias region have been modeled considering mechanisms including drift-diffusion current, recombination current, metal-semiconductor contact and constant series resistance. Moreover, a fitting method based on the genetic algorithm has been developed to obtain values of related physical parameters from the measured dynamic resistance–voltage curves. Fitting results of \(n^+\)-on-\(p\) planar devices with different cutoff wavelengths are presented to illustrate the model and method, which are available and promising in acquiring device parameter values and evaluating the electrode contact quality.

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