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05.08.2021 | Original Research Article | Ausgabe 10/2021

Journal of Electronic Materials 10/2021

Performance Analysis of Sigma Delta ADC Developed using Electrically Doped GAPSb/InP Gate All Around Tunnel Field Effect Transistor

Zeitschrift:
Journal of Electronic Materials > Ausgabe 10/2021
Autoren:
Amit Kumar Behera, Chithraja Rajan, Dip Prakash Samajdar, Anil Lodhi, Jyoti Patel, Komal Mishra, Dharmendra Sing Yadav
Wichtige Hinweise

Publisher's Note

Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps and institutional affiliations.

Abstract

Our focus is on the need for novel devices and the careful investigation of an electrically doped III–V ternary alloy-based gate-all-around tunnel field effect transistor (GAA-TFET) and its circuit applicability. We explored the role of band gap engineering in analyzing GAA-TFET using lattice-matched GaPSb and InP in the source region and channel/drain regions, respectively. This enhances DC and analog characteristics. The device features were then extracted using Silvaco and imported into a Cadence Virtuoso environment using the Verilog-A method to design a sigma delta ADC. The ADC output was then filtered and decimation using MATLAB, resulting into an 11-bit data converter with a 71.24-dB signal to-noise ratio.

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