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01.12.2015 | Physics of Semiconductor Devices | Ausgabe 12/2015

Semiconductors 12/2015

Photoelectric properties of photodiodes based on InAs/InAsSbP heterostructures with photosensitive-area diameters of 0.1–2.0 mm

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 12/2015
Autoren:
I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il’inskaya, A. A. Pivovarova, G. G. Konovalov, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev

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