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01.12.2009 | Ausgabe 12/2009

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2009

Photoluminescence characteristics of synthesized copper doped Cd1−x Zn x S quantum dots

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 12/2009
Autoren:
Karamjit Singh, Sunil Kumar, N. K. Verma, H. S. Bhatti

Abstract

Free standing powders of copper-doped Cd1−x Zn x S (0 ≤ x ≤ 0.5) quantum dots (QDs) were synthesized using a simple chemical co-precipitation method. The copper concentration was varied from 0.01 to 10 at. wt% of Cd2+. X-ray diffraction and transmission electron microscope were used for crystallographic and morphological analyzes. Room temperature time resolved luminescence spectra were recorded using high peak power, pulsed N2-laser excitation. Decay time values for bluish green and yellow emission have been calculated from recorded luminescence decay curves. Decay time dependence on Cu2+ and Zn2+ concentrations have been studied in detail. These QDs will have wide applications as nanophosphors, solar cells, photocatalysts and chemical sensors.

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