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01.04.2015 | Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena | Ausgabe 4/2015

Semiconductors 4/2015

Photoluminescence of heterostructures with GaP1 − x N x and GaP1 − xy N x As y layers grown on GaP and Si substrates by molecular-beam epitaxy

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 4/2015
Autoren:
A. A. Lazarenko, E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, E. V. Pirogov, D. V. Denisov, A. Yu. Egorov

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