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27.03.2019 | Energy materials | Ausgabe 13/2019

Journal of Materials Science 13/2019

Plasma-induced synthesis of boron and nitrogen co-doped reduced graphene oxide for super-capacitors

Zeitschrift:
Journal of Materials Science > Ausgabe 13/2019
Autoren:
Tao Zhu, Shaobo Li, Bin Ren, Limei Zhang, Lichun Dong, Luxi Tan
Wichtige Hinweise

Electronic supplementary material

The online version of this article (https://​doi.​org/​10.​1007/​s10853-019-03552-2) contains supplementary material, which is available to authorized users.
Tao Zhu and Shaobo Li have contributed equally to this work and should be considered co-first authors.

Publisher's Note

Springer Nature remains neutral with regard to jurisdictional claims in published maps and institutional affiliations.

Abstract

Boron and nitrogen co-doped reduced graphene oxide (BN-rGO) materials were prepared via a facile dielectric barrier discharge plasma treatment method. X-ray photoelectron spectroscopy results demonstrated that the boron content in the boron-doped rGO (B-rGO) and BN-rGO is 1.21 at.% and 1.41 at.%, while the nitrogen content in the nitrogen-doped rGO (N-rGO) and BN-rGO is 2.12 at.% and 2.69 at.%, respectively. The doping of heteroatoms significantly improves the capacitance of the as-synthesized materials, giving BN-rGO a highly enhanced capacitance of 350 F g−1 at a current density of 0.5 A g−1, which is 2.36, 1.46 and 1.21 times higher than that of rGO, B-rGO or N-rGO, respectively.

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Zusatzmaterial
Supplementary material 1 (DOCX 41104 kb)
10853_2019_3552_MOESM1_ESM.docx
Literatur
Über diesen Artikel

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