Skip to main content
main-content

Tipp

Weitere Artikel dieser Ausgabe durch Wischen aufrufen

01.01.2015 | XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014 | Ausgabe 1/2015

Semiconductors 1/2015

Plastic relaxation in GeSi layers on Si (001) and Si (115) substrates

Zeitschrift:
Semiconductors > Ausgabe 1/2015
Autoren:
Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, M. A. Shaleev, A. V. Novikov

Bitte loggen Sie sich ein, um Zugang zu diesem Inhalt zu erhalten

Sie möchten Zugang zu diesem Inhalt erhalten? Dann informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit dem Kombi-Abo erhalten Sie vollen Zugriff auf über 1,8 Mio. Dokumente aus mehr als 61.000 Fachbüchern und rund 500 Fachzeitschriften aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Umwelt
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe

Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit dem Wirtschafts-Abo erhalten Sie Zugriff auf über 1 Mio. Dokumente aus mehr als 45.000 Fachbüchern und 300 Fachzeitschriften aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb

Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit dem Technik-Abo erhalten Sie Zugriff auf über 1 Mio. Dokumente aus mehr als 40.000 Fachbüchern und 300 Fachzeitschriften aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Umwelt
  • Maschinenbau + Werkstoffe

Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Über diesen Artikel

Weitere Artikel der Ausgabe 1/2015

Semiconductors 1/2015Zur Ausgabe

XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014

Simulated growth of GaAs nanowires: Catalytic and self-catalyzed growth

XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014

Extension of the radiative lifetime of Wannier-Mott excitons in semiconductor nanoclusters

XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014

Simulation of the effective concentration profiles in InGaAs/GaAs heterostructures containing δ-doped layers

XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014

Optical lattices of excitons in InGaN/GaN quantum well systems

XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014

Study of high-speed semiconductor VCSELs based on AlInGaAs heterostructures with large gain-cavity detuning

XVIII Symposium “Nanophysics and Nanoelectronics”, Nizhni Novgorod, March 10–14, 2014

Distribution of elastic strains appearing in gallium arsenide as a result of doping with isovalent impurities of phosphorus and indium

Premium Partner

Neuer Inhalt

BranchenIndex Online

Die B2B-Firmensuche für Industrie und Wirtschaft: Kostenfrei in Firmenprofilen nach Lieferanten, Herstellern, Dienstleistern und Händlern recherchieren.

Whitepaper

- ANZEIGE -

Product Lifecycle Management im Konzernumfeld – Herausforderungen, Lösungsansätze und Handlungsempfehlungen

Für produzierende Unternehmen hat sich Product Lifecycle Management in den letzten Jahrzehnten in wachsendem Maße zu einem strategisch wichtigen Ansatz entwickelt. Forciert durch steigende Effektivitäts- und Effizienzanforderungen stellen viele Unternehmen ihre Product Lifecycle Management-Prozesse und -Informationssysteme auf den Prüfstand. Der vorliegende Beitrag beschreibt entlang eines etablierten Analyseframeworks Herausforderungen und Lösungsansätze im Product Lifecycle Management im Konzernumfeld.
Jetzt gratis downloaden!

Bildnachweise