Skip to main content
Erschienen in:

04.05.2023

Polycrystalline silicon nanowire FET performance depending on density of states

verfasst von: Fouad Demami

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 4/2023

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

Herein, we investigate the performance of thin film transistors based on polycrystalline silicon nanowires using the complementary metal–oxide–semiconductor spacer technique. A drain current model was developed based on the Poisson equation whose charge density includes the acceptor traps. The density of states (DOS) distribution was characterized by two exponentials modeling the tail and the deep states within the gap. A comprehensive analysis was conducted on the impact of the DOS parameters on the transfer characteristics. The results show that the deep states affect the current behavior in the subthreshold region, while the tail states affect the current above the threshold. For comparison, the model was fitted with the experimental data. The deep state density was high, which provides qualitative insight into the structure of polycrystalline silicon nanowires (poly-SiNWs). The results are in good agreement with the study of the conduction mechanism and the measurement of DOS for these nanowires.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Literatur
2.
Zurück zum Zitat Xu, M., Wang, J., Xue, Z., Wang, J., Feng, P., Yu, L., Xu, J., Shi, Y., Chen, K., P. Roca I Cabarrocas,: High performance transparent in-plane silicon nanowire Fin-TFTs via a robust nano-droplet-scanning crystallization dynamics. Nanoscale (2017). https://doi.org/10.1039/C7NR02825CCrossRef Xu, M., Wang, J., Xue, Z., Wang, J., Feng, P., Yu, L., Xu, J., Shi, Y., Chen, K., P. Roca I Cabarrocas,: High performance transparent in-plane silicon nanowire Fin-TFTs via a robust nano-droplet-scanning crystallization dynamics. Nanoscale (2017). https://​doi.​org/​10.​1039/​C7NR02825CCrossRef
4.
Zurück zum Zitat Tang, S., Yan, J., Zhang, J., Wei, S., Zhang, Q., Li, J., Fang, M., Zhang, S., Xiong, E., Wang, Y., Yang, J., Zhang, Z., Wei, Q., Yin, H., Wang, W., Tu, H.: Fabrication of low cost and low temperature poly-silicon nanowire sensor arrays for monolithic three-dimensional integrated circuits applications. Nanomaterials (2020). https://doi.org/10.3390/nano10122488CrossRef Tang, S., Yan, J., Zhang, J., Wei, S., Zhang, Q., Li, J., Fang, M., Zhang, S., Xiong, E., Wang, Y., Yang, J., Zhang, Z., Wei, Q., Yin, H., Wang, W., Tu, H.: Fabrication of low cost and low temperature poly-silicon nanowire sensor arrays for monolithic three-dimensional integrated circuits applications. Nanomaterials (2020). https://​doi.​org/​10.​3390/​nano10122488CrossRef
11.
Zurück zum Zitat Demami, F.: Synthèse de nanofils de silicium par la méthode des espaceurs pour dispositifs électroniques. In : Ph Dissertation, Université de Rennes1, France (2011) Demami, F.: Synthèse de nanofils de silicium par la méthode des espaceurs pour dispositifs électroniques. In : Ph Dissertation, Université de Rennes1, France (2011)
12.
Zurück zum Zitat Chang, T.-C., Chang, C.-Y., Chen, C.-S., Tu, C.-H., Liu, P.-T., Zan, H.-W., Tai, Y.-H.: High-performance polycrystalline silicon thin-film transistor with multiple nanowire channels and lightly doped drain structure. Appl. Phys. Lett. (2004). https://doi.org/10.1063/1.1745104CrossRef Chang, T.-C., Chang, C.-Y., Chen, C.-S., Tu, C.-H., Liu, P.-T., Zan, H.-W., Tai, Y.-H.: High-performance polycrystalline silicon thin-film transistor with multiple nanowire channels and lightly doped drain structure. Appl. Phys. Lett. (2004). https://​doi.​org/​10.​1063/​1.​1745104CrossRef
19.
Zurück zum Zitat ATLAS User’s Manual, Silvaco Software. 5.19.20.R (2013). ATLAS User’s Manual, Silvaco Software. 5.19.20.R (2013).
22.
Zurück zum Zitat Arora, N.: MOSFET Modeling for VLSI Simulation: Theory and Practice. World Scientific, Singapore (2007)CrossRef Arora, N.: MOSFET Modeling for VLSI Simulation: Theory and Practice. World Scientific, Singapore (2007)CrossRef
Metadaten
Titel
Polycrystalline silicon nanowire FET performance depending on density of states
verfasst von
Fouad Demami
Publikationsdatum
04.05.2023
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 4/2023
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-023-02034-8