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Journal of Nanoparticle Research
Erschienen in: Journal of Nanoparticle Research 2/2012

01.02.2012 | Research Paper

Preferential ordering of self-assembled Ge islands on focused ion-beam patterned Si(100)

verfasst von: K. Das, S. Das, R. K. Singha, S. K. Ray, A. K. Raychaudhuri

Erschienen in: Journal of Nanoparticle Research | Ausgabe 2/2012

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Abstract

We report the growth of Ge islands on Si (001) substrates with lithographically defined two-dimensionally periodic pits using focused ion-beam patterning and molecular beam epitaxy. The formation of circularly ordered Ge islands has been achieved by means of nonuniform strain field around the periphery of the holes due to ion bombardment. Lateral ordering of the Ge islands have been controlled by both the pit size and pit separation. Preferential growth at the pit sites has also been achieved by using appropriate pattern shape and size.
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Metadaten
Titel
Preferential ordering of self-assembled Ge islands on focused ion-beam patterned Si(100)
verfasst von
K. Das
S. Das
R. K. Singha
S. K. Ray
A. K. Raychaudhuri
Publikationsdatum
01.02.2012
Verlag
Springer Netherlands
Erschienen in
Journal of Nanoparticle Research / Ausgabe 2/2012
Print ISSN: 1388-0764
Elektronische ISSN: 1572-896X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11051-012-0725-8

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