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Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2/2018

18.11.2017

Preparation and mechanism analysis of polycrystalline silicon thin films with preferred orientation on graphite substrate

verfasst von: Lishuai Wei, Nuofu Chen, Kai He, Quanli Tao, Congjie Wang, Yiming Bai, Jikun Chen

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 2/2018

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Abstract

In this paper, we prepared polycrystalline silicon (poly-Si) thin films on polished graphite substrate by magnetron sputtering and systematically investigated the effects of substrate temperature and deposition time on preparation of poly-Si thin films. The poly-Si thin films were characterized by X-ray diffraction, Raman spectroscopy (Raman) and Scanning electron microscopy, which showed that the samples presented high crystallization quality. The mechanisms of Si(220) preferred orientation and the conversion from Si(220) to Si(111) were explained by Principle of the lowest energy, Bravais rule and the Classical nucleation theory. We can prepare poly-Si thin films with Si(111) or Si(220) preferred orientation by controlling the substrate temperature and deposition time, which is important for preparing high efficient solar cells.

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Metadaten
Titel
Preparation and mechanism analysis of polycrystalline silicon thin films with preferred orientation on graphite substrate
verfasst von
Lishuai Wei
Nuofu Chen
Kai He
Quanli Tao
Congjie Wang
Yiming Bai
Jikun Chen
Publikationsdatum
18.11.2017
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 2/2018
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-017-8044-6

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