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01.12.2009 | Ausgabe 12/2009

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 12/2009

Preparation and photoelectric properties of Ti doped ZnO thin films annealed in vacuum

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 12/2009
Autoren:
Minhong Jiang, Xinyu Liu, Guohua Chen, Jun Cheng, Xiujuan Zhou

Abstract

In the present paper, Ti doped ZnO films with higher conductive properties were grown on room temperature glass substrates by radio frequency magnetron sputtering and followed by annealing in vacuum. The microstructures and surface figures of the films were investigated by X-ray diffraction and scanning electronic microscopy, and its optical and electrical properties were measured using a four-point probe technique and 756-type spectrophotometer at room temperature. The results show that the preferred growth orientation of the films is (002) orientation, and after annealing in vacuum at 400 °C for 3 h, the average transmittance reduces from 90 to 80%, and resistivity reduces from 4.53 × 10−2 to 8.78 × 10−4 Ω cm.

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