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01.09.2014 | Ausgabe 9/2014

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 9/2014

Preparation and properties of transparent conductive N-doped CuAlO2 films using N2O as the N source

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 9/2014
Autoren:
Jiaqi Pan, Wei Lan, Hongquan Liu, Yingzhuo Sheng, Boxue Feng, Xin Zhang, Erqing Xie

Abstract

N-doped CuAlO2 films were prepared by RF magnetron sputtering on quartz substrates using N2O as the N source. N concentration in the films is detected by Auger electron spectroscopy in detail, which confirms that N is indeed incorporated into the films. The optical and electrical properties of transparent conductive N-doped CuAlO2 films are modulated by the N2O flow ratio in sputtering gas. The N-doped films have a visible transmittance of 60–70 % and a high infrared transmittance of ~85 %. The film deposited by using 15 % N2O flow ratio with the optimal crystalline is provided with a conductivity of 3.75 × 10−2 S cm−1 at room temperature, which improves over one order of magnitude compared with the undoped film. The enhanced conductive property is mainly originated from the ionization of acceptor impurities.

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