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01.04.2011 | Original Paper | Ausgabe 1/2011

Journal of Sol-Gel Science and Technology 1/2011

Preparation, dielectric and ferroelectric properties of (Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3 thin films by a sol–gel process

Zeitschrift:
Journal of Sol-Gel Science and Technology > Ausgabe 1/2011
Autoren:
Xiaolei Fang, Bo Shen, Jiwei Zhai, Xi Yao

Abstract

(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06TiO3 thin films were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si (111) substrates by a sol–gel process. The precursor solutions for spin-coating were prepared using ammonia solution and ethanolamine as a ligand, respectively. The phase structure, ferroelectric and dielectric properties were investigated. The X-ray diffraction (XRD) pattern indicated that the thin films are polycrystalline structure. The surface and cross sectional morphology of the thin films was observed by a field-emission scanning electron microscope (FESEM). The dielectric constant and dielectric loss of thin films with ammonia solution as a ligand (NBT-BT-A) are about 600 and 0.03 at 10 kHz at room temperature, while the values for thin films with ethanolamine as a ligand (NBT-BT-E) are about 270 and 0.03. NBT-BT-A film showed a much lower leakage current. The hysteresis loops for NBT-BT-A thin films at an applied electric field of 400 kV/cm were acquired with a higher saturation polarization and a much smaller coercive field comparing to the NBT-BT-E thin films.

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