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01.02.2011 | Ausgabe 2/2011

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 2/2011

Preparation of La2NiMnO6 thin films on Pt/TiO2/SiO2/Si substrates by pulsed laser deposition

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 2/2011
Autoren:
Yi Liang Tian, Wei Zhang, Lei Li, Yi Qi Lin, Xiang Ming Chen

Abstract

Double perovskite La2NiMnO6 thin films were prepared on Pt/TiO2/SiO2/Si substrates by the pulsed laser deposition process, and the crystal structure and microstructures were investigated. The temperature and the oxygen pressure played the primary roles dominating the crystallization behavior and the morphology of La2NiMnO6 thin films. The well crystallized La2NiMnO6 thin films could be obtained at 873 and 923 K under all oxygen pressures investigated here, and the fine morphology was obtained under the oxygen pressures equal to or higher than 50 and 100 Pa, respectively, while phase constitution was significantly affected by the oxygen pressure for La2NiMnO6 thin films prepared at 1,023 K where the higher oxygen pressure led to the appearance of some secondary phase.

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