Profound analysis on sensing performance of Nanogap SiGe source DM-TFET biosensor

Die vorliegende Arbeit ist ein umfangreicher Versuch, die Schlüsselrolle des unverzichtbaren technischen Problems bei der Sensorleistung eines eingebetteten SiGe-Quellentransistors mit dielektrisch moduliertem Tunnelfeldeffekt (SGS-DM-TFET) erstmals bei der Konjugation biologischer Proben aufzuzeigen. Um hohe und brillante Einblicke in die verschiedenen Designüberlegungen zu erhalten, die die Sensorleistung des Biosensors in der Studie beeinflussen, wurden zwei Schlüsselfragen hinsichtlich prozessbezogener Probleme und realzeitbezogener Probleme untersucht, die die Manieren von Biomolekülen in der Nanogap-Höhle des Biosensors betreffen. Untersuchungen in dieser Arbeit zeigten, dass der Biosensor SGS-DM-TFET wirklich für das Arbeiten unter realistischen Bedingungen konfiguriert werden muss. Die erzielten Ergebnisse geben uns eine nützliche Leitlinie für das Abtasten der Biomoleküle unter realen Bedingungen, einschließlich eines geringen Deckungsanteils biologischer Proben, Ladung und Diskretion mit Hilfe der SGS-FET-Sonde unter Einhaltung der hohen Sensitivität der SET-Fosensitivität.