Skip to main content

2021 | OriginalPaper | Buchkapitel

16. Properties of Ammonothermal Crystals

verfasst von : Jaime A. Freitas Jr., Marcin Zając

Erschienen in: Ammonothermal Synthesis and Crystal Growth of Nitrides

Verlag: Springer International Publishing

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Abstract

This chapter summarizes the present status of bulk GaN crystals grown by ammonothermal basic and acidic methods, and reviews their intrinsic physical properties. Crystals with low dislocation densities, typically well below 105 cm−2, high crystal lattice flatness, and sharp X-ray rocking curves (typically below 20 arcsec) are reproducibly grown by both methods. High quality strain-free homoepitaxial films have been successfully deposited on both polar and non-polar ammonothermal substrates. Characteristics of testing devices produced using these epitaxial templates confirm the potential of ammonothermal substrates for fabrication of high performance and high yield devices.

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Literatur
1.
Zurück zum Zitat K. Byrappa, M. Yoshimura, Handbook of Hydrothermal Technology (Noyes Publications, Norwich, 2001) K. Byrappa, M. Yoshimura, Handbook of Hydrothermal Technology (Noyes Publications, Norwich, 2001)
2.
Zurück zum Zitat M. Zając, R. Kucharski, K. Grabianska, A. Gwardys-Bak, A. Puchalski, J.Z. Domagala, R. Piotrzkowski, E. Litwin-Staszewska, D. Wasik, M. Bockowski, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 64, 63 (2018)CrossRef M. Zając, R. Kucharski, K. Grabianska, A. Gwardys-Bak, A. Puchalski, J.Z. Domagala, R. Piotrzkowski, E. Litwin-Staszewska, D. Wasik, M. Bockowski, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 64, 63 (2018)CrossRef
3.
Zurück zum Zitat R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L.P. Sierzputowski, A. Puchalski, Y. Kanbara, K. Yagi, H. Minakuchi, H. Hayashi, J. Cryst. Growth 310, 3911 (2008)CrossRef R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L.P. Sierzputowski, A. Puchalski, Y. Kanbara, K. Yagi, H. Minakuchi, H. Hayashi, J. Cryst. Growth 310, 3911 (2008)CrossRef
4.
Zurück zum Zitat R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L.P. Sierzputowski, M. Rudzinski, M. Zajac, J. Cryst. Growth 311, 3058 (2009)CrossRef R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L.P. Sierzputowski, M. Rudzinski, M. Zajac, J. Cryst. Growth 311, 3058 (2009)CrossRef
5.
Zurück zum Zitat R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L. Sierzputowski, R. Kucharski, M. Zajac, M. Rudzinski, R. Kudrawiec, W. Strupinski, J. Misiewicz, Phys. Status Solidi (A) 208, 1489 (2011)CrossRef R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L. Sierzputowski, R. Kucharski, M. Zajac, M. Rudzinski, R. Kudrawiec, W. Strupinski, J. Misiewicz, Phys. Status Solidi (A) 208, 1489 (2011)CrossRef
6.
Zurück zum Zitat Y. Mikawa, T. Ishinabe, S. Kawabata, T. Mochuzuki, A. Kojima, Y. Kagamitani, H. Fujisawa, Proc. SPIE 9363, 936302-1 (2015). R. Kucharski, M. Zajac, M. Rudzinski, R. Kudrawiec, W. Strupinski, J. Misiewicz, Phys. Status Solidi (A) 208, 1489 (2011) Y. Mikawa, T. Ishinabe, S. Kawabata, T. Mochuzuki, A. Kojima, Y. Kagamitani, H. Fujisawa, Proc. SPIE 9363, 936302-1 (2015). R. Kucharski, M. Zajac, M. Rudzinski, R. Kudrawiec, W. Strupinski, J. Misiewicz, Phys. Status Solidi (A) 208, 1489 (2011)
7.
Zurück zum Zitat D. Ehrentraut, R.T. Pakalapati, D.S. Kamber, W. Jiang, D.W. Pocius, B.C. Downey, M. McLaurin, M.P. D’Evelyn, Jpn. J. Appl. Phys. 52, 08JA01 (2013) D. Ehrentraut, R.T. Pakalapati, D.S. Kamber, W. Jiang, D.W. Pocius, B.C. Downey, M. McLaurin, M.P. D’Evelyn, Jpn. J. Appl. Phys. 52, 08JA01 (2013)
8.
Zurück zum Zitat W. Jiang, D. Ehrentraut, J. Cook, D.S. Kamber, R.T. Pakalapati, M.P. D’Evelyn, Phys. Status Solidi B 252, 1069 (2015) W. Jiang, D. Ehrentraut, J. Cook, D.S. Kamber, R.T. Pakalapati, M.P. D’Evelyn, Phys. Status Solidi B 252, 1069 (2015)
9.
Zurück zum Zitat T. Malkowski, J.S. Speck, S.P. DenBaars, S. Nakamura, J. Cryst. Growth 499, 85 (2018)CrossRef T. Malkowski, J.S. Speck, S.P. DenBaars, S. Nakamura, J. Cryst. Growth 499, 85 (2018)CrossRef
10.
Zurück zum Zitat R. Dwilinski, A. Wysmolek, J. Baranowski, M. Kaminska, R. Doradzinski, J. Garczynski, L. Sierzputowski, Acta Phys. Pol. 88(5), 833 (1995)CrossRef R. Dwilinski, A. Wysmolek, J. Baranowski, M. Kaminska, R. Doradzinski, J. Garczynski, L. Sierzputowski, Acta Phys. Pol. 88(5), 833 (1995)CrossRef
11.
12.
Zurück zum Zitat A. Yoshikawa, E. Oshima, T. Fukuda, H. Tsuji, K. Oshima, J. Cryst. Growth 260, 67 (2004)CrossRef A. Yoshikawa, E. Oshima, T. Fukuda, H. Tsuji, K. Oshima, J. Cryst. Growth 260, 67 (2004)CrossRef
13.
14.
Zurück zum Zitat T. Hashimoto, K. Fujito, B.A. Haskell, P.T. Fini, J.S. Speck, S. Nakamura, J. Cryst. Growth 275, e525 (2005)CrossRef T. Hashimoto, K. Fujito, B.A. Haskell, P.T. Fini, J.S. Speck, S. Nakamura, J. Cryst. Growth 275, e525 (2005)CrossRef
15.
Zurück zum Zitat T. Hashimoto, K. Fujito, R. Sharma, E.R. Letts, P.T. Fini, J.S. Speck, S. Nakamura, J. Cryst. Growth 291, 100 (2006)CrossRef T. Hashimoto, K. Fujito, R. Sharma, E.R. Letts, P.T. Fini, J.S. Speck, S. Nakamura, J. Cryst. Growth 291, 100 (2006)CrossRef
16.
Zurück zum Zitat M.P. D’Evelyn, H.C. Hong, D.-S. Park, H. Lu, E. Kaminsky, R.R. Melkote, P. Perlin, M. Leszczynski, S. Porowski, R.J. Molnar, J. Cryst. Growth 300, 11 (2007)CrossRef M.P. D’Evelyn, H.C. Hong, D.-S. Park, H. Lu, E. Kaminsky, R.R. Melkote, P. Perlin, M. Leszczynski, S. Porowski, R.J. Molnar, J. Cryst. Growth 300, 11 (2007)CrossRef
17.
Zurück zum Zitat D. Bliss, B. Wang, M. Suscavage, R. Lancto, S. Swider, W. Eikenberry, C. Lynch, J. Cryst. Growth 312, 1069 (2010)CrossRef D. Bliss, B. Wang, M. Suscavage, R. Lancto, S. Swider, W. Eikenberry, C. Lynch, J. Cryst. Growth 312, 1069 (2010)CrossRef
18.
Zurück zum Zitat T. Hashimoto, E. Letts, M. Ikari, Y. Nojima, J. Cryst. Growth 312, 2503 (2010)CrossRef T. Hashimoto, E. Letts, M. Ikari, Y. Nojima, J. Cryst. Growth 312, 2503 (2010)CrossRef
19.
Zurück zum Zitat R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L. Sierzputowski, R. Kucharski, M. Zajac, M. Rudzinski, R. Kudrawiec, J. Serafinczuk, W. Strupinski, J. Cryst. Growth 312, 2499 (2010)CrossRef R. Dwilinski, R. Doradzinski, J. Garczynski, L. Sierzputowski, R. Kucharski, M. Zajac, M. Rudzinski, R. Kudrawiec, J. Serafinczuk, W. Strupinski, J. Cryst. Growth 312, 2499 (2010)CrossRef
20.
Zurück zum Zitat K. Fujii, G. Fujimoto, T. Goto, T. Yao, Y. Kagamitani, N. Hoshino, D. Ehrentraut, T. Fukuda, J. Cryst. Growth 310, 896–899 (2008)CrossRef K. Fujii, G. Fujimoto, T. Goto, T. Yao, Y. Kagamitani, N. Hoshino, D. Ehrentraut, T. Fukuda, J. Cryst. Growth 310, 896–899 (2008)CrossRef
21.
Zurück zum Zitat Y. Kagamitani, D. Ehrentraut, A. Yoshikawa, N. Hoshino, T. Fukuda, H. Tsuji, K. Oshima, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 4018 (2006)CrossRef Y. Kagamitani, D. Ehrentraut, A. Yoshikawa, N. Hoshino, T. Fukuda, H. Tsuji, K. Oshima, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 4018 (2006)CrossRef
22.
Zurück zum Zitat T. Hashimoto, S. Hoff, D. Key, K. Male, M. Michaels, J. Cryst. Growth 403, 3 (2014)CrossRef T. Hashimoto, S. Hoff, D. Key, K. Male, M. Michaels, J. Cryst. Growth 403, 3 (2014)CrossRef
23.
24.
Zurück zum Zitat S. Pimputkar, S. Kawabata, J.S. Speck, S. Nakamura, J. Cryst. Growth 403, 7 (2014)CrossRef S. Pimputkar, S. Kawabata, J.S. Speck, S. Nakamura, J. Cryst. Growth 403, 7 (2014)CrossRef
25.
Zurück zum Zitat S. Pimputkar, J.S. Speck, S. Nakamura, J. Cryst. Growth 456, 15 (2016)CrossRef S. Pimputkar, J.S. Speck, S. Nakamura, J. Cryst. Growth 456, 15 (2016)CrossRef
26.
Zurück zum Zitat T.F. Malkowski, S. Pimputkar, J.S. Speck, S.P. DenBaars, S. Nakamura, J. Cryst. Growth 456, 21 (2016)CrossRef T.F. Malkowski, S. Pimputkar, J.S. Speck, S.P. DenBaars, S. Nakamura, J. Cryst. Growth 456, 21 (2016)CrossRef
27.
Zurück zum Zitat J. Hertrampf, N.S.A. Alt, E. Schlücker, M. Knetzger, E. Meissner, R. Niewa, J. Cryst. Growth 456, 2 (2016)CrossRef J. Hertrampf, N.S.A. Alt, E. Schlücker, M. Knetzger, E. Meissner, R. Niewa, J. Cryst. Growth 456, 2 (2016)CrossRef
28.
Zurück zum Zitat D. Tomida, Y. Kagamitani, Q. Bao, K. Hazu, H. Sawayama, S.F. Chichibu, C. Yokoyama, T. Fukuda, T. Ishiguro, J. Cryst. Growth 353, 59 (2012)CrossRef D. Tomida, Y. Kagamitani, Q. Bao, K. Hazu, H. Sawayama, S.F. Chichibu, C. Yokoyama, T. Fukuda, T. Ishiguro, J. Cryst. Growth 353, 59 (2012)CrossRef
29.
Zurück zum Zitat Q. Bao, M. Saito, K. Hazu, Y. Kagamitani, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Qiao, T. Ishiguro, Ch. Yokoyama, S.F. Chichibu, J. Cryst. Growth 404, 168 (2014)CrossRef Q. Bao, M. Saito, K. Hazu, Y. Kagamitani, K. Kurimoto, D. Tomida, K. Qiao, T. Ishiguro, Ch. Yokoyama, S.F. Chichibu, J. Cryst. Growth 404, 168 (2014)CrossRef
30.
31.
Zurück zum Zitat M. Saito, D.S. Kamber, T.J. Baker, K. Fujito, S.P. DenBaars, J.S. Speck, S. Nakamura, Appl. Phys. Express 1, 121103 (2008)CrossRef M. Saito, D.S. Kamber, T.J. Baker, K. Fujito, S.P. DenBaars, J.S. Speck, S. Nakamura, Appl. Phys. Express 1, 121103 (2008)CrossRef
32.
Zurück zum Zitat R.G. Wyckoff, Crystal Structures, vol. 1 (Wiley, New York, 1995), pp. 111–113 R.G. Wyckoff, Crystal Structures, vol. 1 (Wiley, New York, 1995), pp. 111–113
33.
34.
35.
36.
Zurück zum Zitat M. Leszczynski, I. Grzegory, H. Teisseyre, T. Suski, M. Bockowski, J. Jun, J.M. Baranowski, S. Porowski, J.M. Domagala, Appl. Phys. Lett. 69, 73 (1996)CrossRef M. Leszczynski, I. Grzegory, H. Teisseyre, T. Suski, M. Bockowski, J. Jun, J.M. Baranowski, S. Porowski, J.M. Domagala, Appl. Phys. Lett. 69, 73 (1996)CrossRef
37.
Zurück zum Zitat N.A. Mahadik, S.B. Qadri, J.A. Freitas Jr., Cryst. Growth Des. 15, 291 (2014)CrossRef N.A. Mahadik, S.B. Qadri, J.A. Freitas Jr., Cryst. Growth Des. 15, 291 (2014)CrossRef
38.
Zurück zum Zitat L. Bergman, M. Dutta, R.J. Nemanich, Raman Scattering in Materials Science, Springer Series in Materials Science, vol. 42, ed. by W.H. Weber, R. Merlin (2000), p. 273 L. Bergman, M. Dutta, R.J. Nemanich, Raman Scattering in Materials Science, Springer Series in Materials Science, vol. 42, ed. by W.H. Weber, R. Merlin (2000), p. 273
39.
Zurück zum Zitat D. Gogova, P.P. Petrov, M. Buegler, M.R. Wagner, C. Nestiel, G. Callsen, M. Schmidbauert, R. Kucharski, M. Zajac, R. Dwilinski, M.R. Philips, A. Hoffmann, R. Fornari, J. Appl. Phys. 113, 203513 (2013)CrossRef D. Gogova, P.P. Petrov, M. Buegler, M.R. Wagner, C. Nestiel, G. Callsen, M. Schmidbauert, R. Kucharski, M. Zajac, R. Dwilinski, M.R. Philips, A. Hoffmann, R. Fornari, J. Appl. Phys. 113, 203513 (2013)CrossRef
40.
Zurück zum Zitat P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Talercio, J.C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995)CrossRef P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Talercio, J.C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995)CrossRef
41.
Zurück zum Zitat H.-Y. Kim, J.A. Freitas Jr., J. Kim, Electrochem. Solid State Lett. 14, H5 (2011)CrossRef H.-Y. Kim, J.A. Freitas Jr., J. Kim, Electrochem. Solid State Lett. 14, H5 (2011)CrossRef
42.
Zurück zum Zitat J.A. Freitas Jr., J.C. Culbertson, N.A. Mahadik, M.J. Tadjer, S. Wu, B. Raghothamachar, M. Dudley, T. Sochacki, M. Bockowski, J. Cryst. Growth 500, 104 (2018)CrossRef J.A. Freitas Jr., J.C. Culbertson, N.A. Mahadik, M.J. Tadjer, S. Wu, B. Raghothamachar, M. Dudley, T. Sochacki, M. Bockowski, J. Cryst. Growth 500, 104 (2018)CrossRef
43.
Zurück zum Zitat M. Dudley, Encyclopedia of Advanced Materials, vol. 4 (Pergamon Press, NY, 1994), p. 2950 M. Dudley, Encyclopedia of Advanced Materials, vol. 4 (Pergamon Press, NY, 1994), p. 2950
44.
Zurück zum Zitat M.J. Hordon, B.L. Averbach, Acta Metall. 9, 231 (1961) M.J. Hordon, B.L. Averbach, Acta Metall. 9, 231 (1961)
45.
46.
Zurück zum Zitat R. Kucharski, K. Grabianska, A. Gwardys-Bak, M. Zajac, A. Puchalski, J.Z. Domagala, T. Sochacki, M. Bockowski, Presented at International Workshop on Nitride Semiconductors, Kanazawa, Japan, 11–16 Nov 2018 R. Kucharski, K. Grabianska, A. Gwardys-Bak, M. Zajac, A. Puchalski, J.Z. Domagala, T. Sochacki, M. Bockowski, Presented at International Workshop on Nitride Semiconductors, Kanazawa, Japan, 11–16 Nov 2018
47.
Zurück zum Zitat X. Bilaj, Dudley et al., to be published X. Bilaj, Dudley et al., to be published
48.
Zurück zum Zitat S. Sintonen, M. Rudzinski, S. Suihkonen, H. Jussila, M. Knetzger, E. Meissner, A. Danilewsky, T.O. Tuomi, H. Lipsanen, J. Appl. Phys. 116, 083504 (2014) S. Sintonen, M. Rudzinski, S. Suihkonen, H. Jussila, M. Knetzger, E. Meissner, A. Danilewsky, T.O. Tuomi, H. Lipsanen, J. Appl. Phys. 116, 083504 (2014)
49.
Zurück zum Zitat T. Hashimoto, F. Wu, M. Saito, K. Fujitu, J.S. Speck, S. Nakamura, J. Cryst. Growth 310, 876 (2008)CrossRef T. Hashimoto, F. Wu, M. Saito, K. Fujitu, J.S. Speck, S. Nakamura, J. Cryst. Growth 310, 876 (2008)CrossRef
50.
Zurück zum Zitat J. Bai, M. Dudley, B. Raghothamachar, P. Gouma, B.J. Shromme, L. Chen, P.J. Hartileb, M. Michaels, J.W. Kolis, Appl. Phys. Lett. 84, 17 (2004) J. Bai, M. Dudley, B. Raghothamachar, P. Gouma, B.J. Shromme, L. Chen, P.J. Hartileb, M. Michaels, J.W. Kolis, Appl. Phys. Lett. 84, 17 (2004)
51.
Zurück zum Zitat K. Horibuchi, S. Yamaguchi, Y. Kimoto, K. Nishikawa, T. Kachi, Semicond. Sci. Technol. 31, 034002 (2016)CrossRef K. Horibuchi, S. Yamaguchi, Y. Kimoto, K. Nishikawa, T. Kachi, Semicond. Sci. Technol. 31, 034002 (2016)CrossRef
53.
Zurück zum Zitat P.U. Arifov, N.Y. Arutyunov, A.Z. Iliyasov, Sov. Phys. Semicond. 11, 907 (1977) P.U. Arifov, N.Y. Arutyunov, A.Z. Iliyasov, Sov. Phys. Semicond. 11, 907 (1977)
54.
55.
Zurück zum Zitat K. Saarinen, T. Laine, S. Kuisma, J. Nissila, P. Hautojarvi, L. Dobrzynski, J.M. Baranowski, K. Pakula, R. Stepniewski, M. Wojdak, A. Wysmolek, T. Suski, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski, Phys. Rev. Lett. 79, 3030 (1997)CrossRef K. Saarinen, T. Laine, S. Kuisma, J. Nissila, P. Hautojarvi, L. Dobrzynski, J.M. Baranowski, K. Pakula, R. Stepniewski, M. Wojdak, A. Wysmolek, T. Suski, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski, Phys. Rev. Lett. 79, 3030 (1997)CrossRef
56.
Zurück zum Zitat K. Saarinen, in III-nitrides Semiconductors: Electrical, Structural and Defects Properties, ed. by O. Manasreh (Elsevier, Amsterdam, 2000), pp. 109–149 K. Saarinen, in III-nitrides Semiconductors: Electrical, Structural and Defects Properties, ed. by O. Manasreh (Elsevier, Amsterdam, 2000), pp. 109–149
57.
Zurück zum Zitat F. Tuomisto, J.-M. Mäki, M. Zajac, J. Cryst. Growth 312, 2620 (2010)CrossRef F. Tuomisto, J.-M. Mäki, M. Zajac, J. Cryst. Growth 312, 2620 (2010)CrossRef
58.
Zurück zum Zitat F. Tuomisto, T. Kuittinen, M. Zajac, R. Doradzinski, D. Wasik, J. Cryst. Growth 403, 114 (2014)CrossRef F. Tuomisto, T. Kuittinen, M. Zajac, R. Doradzinski, D. Wasik, J. Cryst. Growth 403, 114 (2014)CrossRef
60.
Zurück zum Zitat S. Suihkonen, S. Pimputkar, J.S. Speck, S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 108, 202105 (2016)CrossRef S. Suihkonen, S. Pimputkar, J.S. Speck, S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 108, 202105 (2016)CrossRef
61.
Zurück zum Zitat A. Uedono, Y. Tsukada, Y. Mikawa, T. Mochizuki, H. Fujisawa, H. Ikeda, K. Kurihara, S. Terada, S. Ishibashi, S.F. Chichibu, J. Cryst. Growth 448, 117 (2016)CrossRef A. Uedono, Y. Tsukada, Y. Mikawa, T. Mochizuki, H. Fujisawa, H. Ikeda, K. Kurihara, S. Terada, S. Ishibashi, S.F. Chichibu, J. Cryst. Growth 448, 117 (2016)CrossRef
62.
Zurück zum Zitat W. Jiang, M. Nolan, D. Ehrentraut, M.P. D’Evelyn, Appl. Phys. Express 10, 075506 (2017)CrossRef W. Jiang, M. Nolan, D. Ehrentraut, M.P. D’Evelyn, Appl. Phys. Express 10, 075506 (2017)CrossRef
63.
Zurück zum Zitat J.L. Lyons, A. Alkauskas, A. Janotti, C.G. Van de Walle, Phys. Status Solid 252, 900 (2015)CrossRef J.L. Lyons, A. Alkauskas, A. Janotti, C.G. Van de Walle, Phys. Status Solid 252, 900 (2015)CrossRef
64.
Zurück zum Zitat C. Persson, A.F. da Silva, Optoelectronic Devices: III-Nitrides, ed. by M. Razeghi, M. Henini (Elsevier, Amsterdam, 2004), pp. 518–559 C. Persson, A.F. da Silva, Optoelectronic Devices: III-Nitrides, ed. by M. Razeghi, M. Henini (Elsevier, Amsterdam, 2004), pp. 518–559
65.
Zurück zum Zitat Authors and Editors of the LB Volumes III/17A-22A-41A1b, Gallium nitride (GaN), effective masses, g-factors, deformation potentials, in Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part B—Electronic, Transport, Optical and Other Properties. Landolt-Börnstein—Group III Condensed Matter (Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology), vol. 41A1b, ed. by O. Madelung, U. Rössler, M. Schulz (Springer, Berlin, Heidelberg) Authors and Editors of the LB Volumes III/17A-22A-41A1b, Gallium nitride (GaN), effective masses, g-factors, deformation potentials, in Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part B—Electronic, Transport, Optical and Other Properties. Landolt-Börnstein—Group III Condensed Matter (Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology), vol. 41A1b, ed. by O. Madelung, U. Rössler, M. Schulz (Springer, Berlin, Heidelberg)
66.
67.
68.
69.
Zurück zum Zitat P. Boguslawski, E.L. Briggs, J. Bernholc, Phys. Rev. B 51, 17255 (1995)CrossRef P. Boguslawski, E.L. Briggs, J. Bernholc, Phys. Rev. B 51, 17255 (1995)CrossRef
71.
Zurück zum Zitat I. Gorczyca, A. Svane, N.E. Christensen, Phys. Rev. B 60, 8147 (1999)CrossRef I. Gorczyca, A. Svane, N.E. Christensen, Phys. Rev. B 60, 8147 (1999)CrossRef
72.
75.
Zurück zum Zitat W. Gotz, N.M. Johnson, J. Walker, D.P. Bour, R.A. Street, Appl. Phys. Lett. 68, 667 (1996)CrossRef W. Gotz, N.M. Johnson, J. Walker, D.P. Bour, R.A. Street, Appl. Phys. Lett. 68, 667 (1996)CrossRef
76.
Zurück zum Zitat J.A. Freitas Jr., W.J. Moore, B.V. Shanabrook, G.C.B. Braga, S.K. Lee, S.S. Park, J.Y. Han, Phys. Rev. B. 66(2002), 233311 (2002)CrossRef J.A. Freitas Jr., W.J. Moore, B.V. Shanabrook, G.C.B. Braga, S.K. Lee, S.S. Park, J.Y. Han, Phys. Rev. B. 66(2002), 233311 (2002)CrossRef
78.
Zurück zum Zitat R. Doradzinski, R. Dwilinski, J. Garczynski, L.P. Sierzputowski, Y. Kanbara, in Technology of Gallium Nitride Crystal Growth, ed. by D. Ehrentraut, E. Meissener, M. Bockowski (Springer, Cham, 2010), pp. 137–159, Chapter 7 R. Doradzinski, R. Dwilinski, J. Garczynski, L.P. Sierzputowski, Y. Kanbara, in Technology of Gallium Nitride Crystal Growth, ed. by D. Ehrentraut, E. Meissener, M. Bockowski (Springer, Cham, 2010), pp. 137–159, Chapter 7
79.
Zurück zum Zitat D.O. Demchenko, I.C. Diallo, M.A. Rashchikov, Phys. Rev. Lett. 110, 087404 (2013)CrossRef D.O. Demchenko, I.C. Diallo, M.A. Rashchikov, Phys. Rev. Lett. 110, 087404 (2013)CrossRef
80.
Zurück zum Zitat J.A. Freitas Jr., B.N. Feigelson, T.J. Anderson, Appl. Phys. Express 6, 111001 (2013)CrossRef J.A. Freitas Jr., B.N. Feigelson, T.J. Anderson, Appl. Phys. Express 6, 111001 (2013)CrossRef
81.
Zurück zum Zitat M. Ilegems, R. Dingle, R.A. Logan, J. Appl. Phys. 43, 3797 (1972) M. Ilegems, R. Dingle, R.A. Logan, J. Appl. Phys. 43, 3797 (1972)
82.
Zurück zum Zitat M. Sakai, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Umemo, T. Shibata, K. Asai, S. Sumiya, Y. Kuraoka, M. Tanaka, O. Oda, J. Cryst. Growth 244, 6 (2002)CrossRef M. Sakai, H. Ishikawa, T. Egawa, T. Jimbo, M. Umemo, T. Shibata, K. Asai, S. Sumiya, Y. Kuraoka, M. Tanaka, O. Oda, J. Cryst. Growth 244, 6 (2002)CrossRef
83.
Zurück zum Zitat S. Addachi, Properties of Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (Wiley, Chichester, 2005)CrossRef S. Addachi, Properties of Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (Wiley, Chichester, 2005)CrossRef
84.
Zurück zum Zitat D. Ehrentraut, T. Fukuda, Proc. IEEE 98, 1316 (2010) D. Ehrentraut, T. Fukuda, Proc. IEEE 98, 1316 (2010)
85.
Zurück zum Zitat W. Jiang, D. Ehrentraut, B.C. Downey, D.S. Kamber, R.T. Pakalapati, H.D. Yoo, M.P. D’Evelyn, J. Cryst. Growth 403, 18 (2014)CrossRef W. Jiang, D. Ehrentraut, B.C. Downey, D.S. Kamber, R.T. Pakalapati, H.D. Yoo, M.P. D’Evelyn, J. Cryst. Growth 403, 18 (2014)CrossRef
86.
Zurück zum Zitat S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L139 (1991)CrossRef S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys. 31, L139 (1991)CrossRef
87.
Zurück zum Zitat D.I. Florescu, V.M. Asnin, F.H. Pollak, R.J. Molnar, C.E.C. Wood, J. Appl. Phys. 88, 3295 (2000)CrossRef D.I. Florescu, V.M. Asnin, F.H. Pollak, R.J. Molnar, C.E.C. Wood, J. Appl. Phys. 88, 3295 (2000)CrossRef
88.
Zurück zum Zitat G.A. Slack, L.J. Schowalter, J.A. Freitas Jr., J. Cryst. Growth 246, 287 (2002)CrossRef G.A. Slack, L.J. Schowalter, J.A. Freitas Jr., J. Cryst. Growth 246, 287 (2002)CrossRef
89.
Zurück zum Zitat A. Jezowski, B.A. Denilchenko, M. Bockowski, I. Grzegory, S. Krukowski, T. Suski, T. Paszkiewicz, Solid State Commun. 128, 69 (2003)CrossRef A. Jezowski, B.A. Denilchenko, M. Bockowski, I. Grzegory, S. Krukowski, T. Suski, T. Paszkiewicz, Solid State Commun. 128, 69 (2003)CrossRef
90.
Zurück zum Zitat D.I. Florescu, V.M. Asnin, F.H. Pollak, A.M. Jones, M.J. Schurman, I. Fergunson, Appl. Phys. Lett. 77, 1464 (2000) D.I. Florescu, V.M. Asnin, F.H. Pollak, A.M. Jones, M.J. Schurman, I. Fergunson, Appl. Phys. Lett. 77, 1464 (2000)
91.
Zurück zum Zitat J. Zou, D. Kotchetkov, A.A. Baladin, D.I. Florescu, F.H. Pollack, J. Appl. Phys. 92, 2534 (2002)CrossRef J. Zou, D. Kotchetkov, A.A. Baladin, D.I. Florescu, F.H. Pollack, J. Appl. Phys. 92, 2534 (2002)CrossRef
92.
Zurück zum Zitat W. Liu, A.A. Baladin, C. Lee, H. Lee, Phys. Status Solidi A 179, R135 (2005)CrossRef W. Liu, A.A. Baladin, C. Lee, H. Lee, Phys. Status Solidi A 179, R135 (2005)CrossRef
93.
Zurück zum Zitat D.I. Florescu, F.H. Pollak, T. Paskova, B. Monemar, Compound Semicond. 7, 62 (2001) D.I. Florescu, F.H. Pollak, T. Paskova, B. Monemar, Compound Semicond. 7, 62 (2001)
94.
95.
Zurück zum Zitat C. Mion, J.F. Muth, E.A. Preble, D. Hanser, Appl. Phys. Lett. 89, 092123 (2006)CrossRef C. Mion, J.F. Muth, E.A. Preble, D. Hanser, Appl. Phys. Lett. 89, 092123 (2006)CrossRef
96.
Zurück zum Zitat R. Rounds, B. Sarkar, T. Sochacki, M. Bockowski, M. Imanishi, Y. Mori, R. Collazo, Z. Sitar, J. Appl. Phys. 124, 105106 (2018)CrossRef R. Rounds, B. Sarkar, T. Sochacki, M. Bockowski, M. Imanishi, Y. Mori, R. Collazo, Z. Sitar, J. Appl. Phys. 124, 105106 (2018)CrossRef
98.
Zurück zum Zitat Y. Oshima, T. Suzuki, T. Eri, Y. Kawaguchi, K. Watanabe, M. Shibata, T. Mishima, J. Appl. Phys. 98, 103509 (2005)CrossRef Y. Oshima, T. Suzuki, T. Eri, Y. Kawaguchi, K. Watanabe, M. Shibata, T. Mishima, J. Appl. Phys. 98, 103509 (2005)CrossRef
99.
Zurück zum Zitat I. Grzegory, J. Jun, M. Bockowski, M. Wrobleski, B. Lucznik, S. Porowski, J. Phys. Chem. Solids 56, 639 (1995)CrossRef I. Grzegory, J. Jun, M. Bockowski, M. Wrobleski, B. Lucznik, S. Porowski, J. Phys. Chem. Solids 56, 639 (1995)CrossRef
100.
Zurück zum Zitat D.D. Koleske, A.E. Wickenden, R.L. Henry, M.E. Twigg, J.C. Culbertson, R.J. Gorman, Appl. Phys. Lett. 73, 2018 (1998). Erratum, Appl. Phys. Lett. 75, 1646 (1999) D.D. Koleske, A.E. Wickenden, R.L. Henry, M.E. Twigg, J.C. Culbertson, R.J. Gorman, Appl. Phys. Lett. 73, 2018 (1998). Erratum, Appl. Phys. Lett. 75, 1646 (1999)
101.
Zurück zum Zitat M. Amilusik, T. Sochacki, B. Lucznik, M. Bockowski, B. Sadovyi, A. Presz, I. Dziecielewski, I. Grzegory, J. Cryst. Growth 380, 99 (2013)CrossRef M. Amilusik, T. Sochacki, B. Lucznik, M. Bockowski, B. Sadovyi, A. Presz, I. Dziecielewski, I. Grzegory, J. Cryst. Growth 380, 99 (2013)CrossRef
102.
Zurück zum Zitat T. Sochacki, M. Amilusik, B. Lucznik, M. Fijakowski, J.L. Weyher, B. Sadovyi, G. Kamler, G. Nowak, E. Litwin-Staszewska, A. Khachapuridze, I. Grzegory, R. Kucharski, M. Zajac, R. Doradzinski, M. Bockowski, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 05FA04 (2014) T. Sochacki, M. Amilusik, B. Lucznik, M. Fijakowski, J.L. Weyher, B. Sadovyi, G. Kamler, G. Nowak, E. Litwin-Staszewska, A. Khachapuridze, I. Grzegory, R. Kucharski, M. Zajac, R. Doradzinski, M. Bockowski, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 05FA04 (2014)
103.
Zurück zum Zitat T. Sochacki, Z. Bryan, M. Amilusik, R. Collazo, B. Lucznik, J.L. Weyher, G. Nowak, B. Sadovyi, R. Kucharski, M. Zajac, R. Doradzinski, R. Dwilinski, I. Grzegory, M. Bockowski, Z. Sitar, Appl. Phys. Express 6, 075504 (2013)CrossRef T. Sochacki, Z. Bryan, M. Amilusik, R. Collazo, B. Lucznik, J.L. Weyher, G. Nowak, B. Sadovyi, R. Kucharski, M. Zajac, R. Doradzinski, R. Dwilinski, I. Grzegory, M. Bockowski, Z. Sitar, Appl. Phys. Express 6, 075504 (2013)CrossRef
104.
Zurück zum Zitat H. Fujikura, T. Yoshida, M. Shibata, Y. Otoki, Proceedings of SPIE, vol. 10104, 1010403-1 (2017) H. Fujikura, T. Yoshida, M. Shibata, Y. Otoki, Proceedings of SPIE, vol. 10104, 1010403-1 (2017)
105.
Zurück zum Zitat P. Perlin, L. Marona, K. Holc, P. Wisniewski, T. Suski, M. Leszczynski, R. Czarnecki, S. Najda, M. Zajac, R. Kucharski, Appl. Phys. Express 4, 062103 (2011)CrossRef P. Perlin, L. Marona, K. Holc, P. Wisniewski, T. Suski, M. Leszczynski, R. Czarnecki, S. Najda, M. Zajac, R. Kucharski, Appl. Phys. Express 4, 062103 (2011)CrossRef
106.
Zurück zum Zitat P. Perlin, S. Stanczyk, A. Kafar, A. Bojarska, L. Marona, R. Czarnecki, G. Targowski, G. Muziol, H. Turski, E. Grzanka, S. Grzanka, S. Najda, P. Wisniewski, T. Czyszanowski, M. Leszczynski, C. Skierbiszewski, M. Zajac, R. Kucharski, T. Suski, Photonics Lett. Pol. 6, 32 (2014) P. Perlin, S. Stanczyk, A. Kafar, A. Bojarska, L. Marona, R. Czarnecki, G. Targowski, G. Muziol, H. Turski, E. Grzanka, S. Grzanka, S. Najda, P. Wisniewski, T. Czyszanowski, M. Leszczynski, C. Skierbiszewski, M. Zajac, R. Kucharski, T. Suski, Photonics Lett. Pol. 6, 32 (2014)
107.
Zurück zum Zitat Y. Hatakeyama, K. Nomoto, N. Kaneda, T. Kawano, T. Mishima, T. Nakamura, IEEE Electron Device Lett. 32, 1674 (2011)CrossRef Y. Hatakeyama, K. Nomoto, N. Kaneda, T. Kawano, T. Mishima, T. Nakamura, IEEE Electron Device Lett. 32, 1674 (2011)CrossRef
108.
Zurück zum Zitat I.C. Kizilyalli, A.P. Edward, H. Nie, D. Bour, T. Prunty, D. Disney, IEEE Electron Device Lett. 35, 247 (2014)CrossRef I.C. Kizilyalli, A.P. Edward, H. Nie, D. Bour, T. Prunty, D. Disney, IEEE Electron Device Lett. 35, 247 (2014)CrossRef
109.
Zurück zum Zitat B.S. Kang, F. Ren, Y. Irokawa, K.W. Baik, S.J. Pearton, C.-C. Pan, G.-T. Chen, J.-I. Chyi, H.-J. Ko, H.-Y. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B: Micronelectron. Process. Phenom. 22(2), 710 (2004) B.S. Kang, F. Ren, Y. Irokawa, K.W. Baik, S.J. Pearton, C.-C. Pan, G.-T. Chen, J.-I. Chyi, H.-J. Ko, H.-Y. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B: Micronelectron. Process. Phenom. 22(2), 710 (2004)
Metadaten
Titel
Properties of Ammonothermal Crystals
verfasst von
Jaime A. Freitas Jr.
Marcin Zając
Copyright-Jahr
2021
DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-030-56305-9_16