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02.01.2016 | Ausgabe 4/2016

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 4/2016

Properties of chemically-deposited nanocrystalline MoS2 thin films

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 4/2016
Autoren:
D. J. Sathe, P. A. Chate, S. B. Sargar, S. V. Kite, Z. D. Sande

Abstract

Molybdenum disulfide thin films have been deposited from an aqueous acidic bath using sodium thiosulphate as sulphide ion source. The various preparative parameters are optimized and growth mechanism is discussed. X-ray diffraction analysis reveals that the films are polycrystalline in nature with hexagonal structure. A microstructural study has been carried out by field emission scanning electron microscopy. EDAX analysis shows that the films are nearly stoichiometries of the Mo:S i.e. 1:2. Electrical conductivity was found to be in the order of 10−5–10−3 (Ω cm)−1. From optical absorption studies the energy band gap of MoS2 is estimated to be 1.7 eV.

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