Skip to main content
Erschienen in: Semiconductors 2/2013

01.02.2013 | IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012

Radiation effects in Si-Ge quantum size structure (Review)

verfasst von: N. A. Sobolev

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/2013

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Metadaten
Titel
Radiation effects in Si-Ge quantum size structure (Review)
verfasst von
N. A. Sobolev
Publikationsdatum
01.02.2013
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/2013
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782613020188

Weitere Artikel der Ausgabe 2/2013

Semiconductors 2/2013 Zur Ausgabe

IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012

Regularities in the formation of dislocation networks on the boundary of bonded Si(001) wafers

IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012

Monoisotopic silicon 28Si in spin resonance spectroscopy of electrons localized at donors

Physics of Semiconductor Devices

High-efficiency GaSb photocells

IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012

Electrically active centers formed in silicon during the high-temperature diffusion of boron and aluminum

IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012

Optical properties of silicon with a high content of boron

Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Recrystallization of silicon-on-sapphire structures at various amorphization-ion-beam energies