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Journal of Computational Electronics
Erschienen in: Journal of Computational Electronics 4/2016

19.07.2016

Random phonon model of dissipative electron transport in nanowire MOSFETs

verfasst von: Gennady Mil’nikov, Nobuya Mori

Erschienen in: Journal of Computational Electronics | Ausgabe 4/2016

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Abstract

A method for quantum transport simulations of nanowire (NW) field-effect transistors (FETs) with inelastic electron–phonon scattering processes incorporated is presented in this paper. The microscopic device Hamiltonian with realistic phonon spectrum and electron–phonon interaction is transformed into an equivalent low-dimensional transport model with discrete random phonon modes. The electron–phonon coupling constants are optimized in order to reproduce the inelastic scattering effects. Small size of the model and special form of the inelastic self-energy terms in the NEGF formalism make it a powerful tool to study dissipative transport in realistic NW transistors. The utility of the method is demonstrated by computing inelastic transport characteristics in Si NW FETs.
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Metadaten
Titel
Random phonon model of dissipative electron transport in nanowire MOSFETs
verfasst von
Gennady Mil’nikov
Nobuya Mori
Publikationsdatum
19.07.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Computational Electronics / Ausgabe 4/2016
Print ISSN: 1569-8025
Elektronische ISSN: 1572-8137
DOI
https://doi.org/10.1007/s10825-016-0865-7

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