Rasterelektronenmikroskopie

Zur Beobachtung der Topographieerscheinungen bei unebenen und zerklüfteten Werkstoffoberflächen (z. B. bei Bruchflächen, bei angeätzten Schliffen oder bei spanend bearbeiteten Flächen) sind optische Einrichtungen mit hinreichender Schärfentiefe, Auflösung und Vergrößerung erforderlich. Bei lichtmikroskopischer Beobachtung (vgl. V7) nimmt der scharf abbildbare Tiefenbereich einer Bruchfläche rasch mit der Vergrößerung ab. In Bild 47-1 gibt die gestrichelte Kurve den Zusammenhang zwischen Schärfentiefe S und förderlicher Vergrößerung

V

f

bzw. lateraler Punktauflösung

X

für das Lichtmikroskop (LM) wieder.

X

gibt den Abstand zweier visuell gerade noch getrennt erkennbarer Punkte an und kann – bedingt durch das kurzwellige Ende des sichtbaren Lichtes – nicht kleiner als 0,2 μm werden. Da andererseits ein Abstand von 0,2 mm auf einem vergrößerten Bild noch gut zu erkennen ist, gilt