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Erschienen in: Journal of Electronic Materials 2/2020

27.11.2019 | Invited Commentary

Recent Research Trends in Point Defects in Copper Iodide Semiconductors

verfasst von: Satoshi Koyasu, Masahiro Miyauchi

Erschienen in: Journal of Electronic Materials | Ausgabe 2/2020

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Metadaten
Titel
Recent Research Trends in Point Defects in Copper Iodide Semiconductors
verfasst von
Satoshi Koyasu
Masahiro Miyauchi
Publikationsdatum
27.11.2019
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 2/2020
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-019-07833-z

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