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2016 | OriginalPaper | Buchkapitel

9. Reconsidering Conventional Field Acceleration Models

verfasst von : Juan Pablo Borja, Toh-Ming Lu, Joel Plawsky

Erschienen in: Dielectric Breakdown in Gigascale Electronics

Verlag: Springer International Publishing

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Abstract

The theory developed in the previous chapters can be useful for understanding the role of charge species in dielectric breakdown. However, a more attractive feature of the model developed in Chap. 7 rests on its ability to make predictions on dielectric breakdown at low fields from data collected at high fields without needing to use empirical field acceleration formulas. In this chapter, we discuss estimates from the model and compare these with predictions from conventional field acceleration fits. The objective is to establish which empirical expression replicates this complex phenomenon the best. In essence, fundamental concepts ought to drive the predictions, not the other way around.

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Vorheriges Kapitel Dielectric Breakdown in Copper Interconnects
Literatur
Achanta, R., & McLaughlin, P. (2011, April). A charge transport based acceleration model for interlevel dielectric breakdown. In Reliability physics symposium (IRPS), 2011 I.E. International (pp. BD.2.1–BD.2.5). IEEE, Piscataway, NJ.
Achanta, R., & McLaughlin, P. (2014). A charge transport model for SiCOH dielectric breakdown in copper interconnects and its applications. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 14(1), 133–138.CrossRef
Chery, E., Federspiel, X., Roy, D., Volpi, F., & Chaix, J. M. (2013). Identification of the (E1/2 + 1/E)-dependence of porous low-κ time dependent dielectric breakdown using over one year long package level tests. Microelectronic Engineering, 109, 90–93.CrossRef
Croes, K., Roussel, P., Barbarin, Y., Wu, C., Li, Y., Bommels, J., & Tokei, Z. (2013, April). Low field TDDB of BEOL interconnects using > 40 months of data. In Reliability physics symposium (IRPS), 2013 I.E. international (pp. 2F.4.1–2F.4.8). IEEE, Piscataway, NJ.
Ogden, S. P., Borja, J., Plawsky, J. L., Lu, T. M., Yeap, K. B., & Gill, W. N. (2015). Charge transport model to predict intrinsic reliability for dielectric materials. Journal of Applied Physics, 118(12), 124102.CrossRef
Metadaten
Titel
Reconsidering Conventional Field Acceleration Models
verfasst von
Juan Pablo Borja
Toh-Ming Lu
Joel Plawsky
Copyright-Jahr
2016
Buch
Dielectric Breakdown in Gigascale Electronics

Print ISBN: 978-3-319-43218-2

Electronic ISBN: 978-3-319-43220-5

Copyright-Jahr: 2016

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-319-43220-5_9

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