Skip to main content
Fachgebiete
Automobil + Motoren Bauwesen + Immobilien Business IT + Informatik Elektrotechnik + Elektronik Energie + Nachhaltigkeit Finance + Banking Management + Führung Marketing + Vertrieb Maschinenbau + Werkstoffe Versicherung + Risiko
DE
EN
Bücher
Zeitschriften
Themenseiten
Organisationspsychologie Projektmanagement Marketing Smart Manufacturing
Weitere Formate
Podcasts Webinare Technik Webinare Wirtschaft Kongresse Veranstaltungskalender Awards
Jetzt Einzelzugang starten
Zugang für Unternehmen
Referenzkunden
SLX-Digitalkonferenz: Zukunftswerkstatt 2024

Mehr Umsatz mit Top-Kontakten

Am 7. Mai erfahren Sie, wie Vertriebsteams Leadgenerierung, Leadnurturing und Leadstrategien effizient steuern können.
Erweiterte Suche
Anmelden
nach oben
Semiconductors
Erschienen in: Semiconductors 2/2013

01.02.2013 | Semiconductor Structures, Low-Dimensional Systems, and Quantum Phenomena

Recrystallization of silicon-on-sapphire structures at various amorphization-ion-beam energies

verfasst von: P. A. Alexandrov, K. D. Demakov, S. G. Shemardov, Yu. Yu. Kuznetsov

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 2/2013

Einloggen

Aktivieren Sie unsere intelligente Suche, um passende Fachinhalte oder Patente zu finden.

search-config
loading …
Vorheriger Artikel Determination of the thickness and spectral dependence of the refractive index of Al x In1 − x Sb epitaxial layers from reflectance spectra
Nächster Artikel Structure and transport properties of nanocarbon films prepared by sublimation on a 6H-SiC surface

Sie haben noch keine Lizenz? Dann Informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 102.000 Bücher
  • über 537 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Wirtschaft"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 340 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Versicherung + Risiko




Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 67.000 Bücher
  • über 390 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Nachhaltigkeit
  • Maschinenbau + Werkstoffe




 

Jetzt Wissensvorsprung sichern!

Jetzt informieren
Metadaten
Titel
Recrystallization of silicon-on-sapphire structures at various amorphization-ion-beam energies
verfasst von
P. A. Alexandrov
K. D. Demakov
S. G. Shemardov
Yu. Yu. Kuznetsov
Publikationsdatum
01.02.2013
Verlag
SP MAIK Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 2/2013
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/S1063782613020036

Weitere Artikel der Ausgabe 2/2013

Semiconductors 2/2013 Zur Ausgabe

IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012

Influence of metal impurities on recombination activity of dislocations in multicrystalline silicon

IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012

The electrically active centers in oxygen-implanted silicon

IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012

Photoresponse recovery in silicon photodiodes upon VUV irradiation

IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012

Light emission from silicon nanocrystals

IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012

Regularities in the formation of dislocation networks on the boundary of bonded Si(001) wafers

IX International Conference “Silicon-2012”, St. Petersburg, July 9–13, 2012

Annealing kinetics of boron-containing centers in electron-irradiated silicon