Erschienen in:

2019 | OriginalPaper | Buchkapitel

Reducing Efficiency Droop for Si-Doped Barrier Model of GaN/InGaN Multi-quantum Well Light-Emitting Diode by Designing Electron Blocking Layer

verfasst von : Pramila Mahala, Amit K. Goyal, Sumitra Singh, Suchandan Pal

Erschienen in: Advances in Signal Processing and Communication

Verlag: Springer Singapore

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Abstract

Eine InGaN / GaN-Leuchtdiode (LED) bestehend aus speziellem Si-dotiertem Barriereprofil und abgestufter Elektronenblockierschicht (EBL) mit unterschiedlicher Al-Zusammensetzung wurde konzipiert und simuliert. Die Simulationsergebnisse zeigen, dass EBL die Lochinjektion und Elektronensperrung im Vergleich zu nicht abgestuftem EBL verbessern kann. Dementsprechend weist die LED mit speziellem Si-dotiertem Barriereprofil und abgestuftem EBL verbesserte elektrische und optische Eigenschaften auf als LED mit speziellem Si-dotiertem Barriereprofil allein. Darüber hinaus verringert sich der Wirkungsgrad bei nicht abgestuften EBL-LEDs von 56,71% auf 30,92% bei einem hohen Einspritzstrom von 1000 A / cm2.

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Titel: Reducing Efficiency Droop for Si-Doped Barrier Model of GaN/InGaN Multi-quantum Well Light-Emitting Diode by Designing Electron Blocking Layer
verfasst von: Pramila Mahala
Amit K. Goyal
Sumitra Singh
Suchandan Pal
Verlag: Springer Singapore
Buch: Advances in Signal Processing and Communication
Print ISBN: 978-981-13-2552-6

Electronic ISBN: 978-981-13-2553-3

Copyright-Jahr: 2019
DOI: https://doi.org/10.1007/978-981-13-2553-3_55