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Reducing Subsurface Damage with Trizact™ Diamond Tile During a Prime Silicon Wafer Grinding Process

  • 11.03.2023
  • Original Research Article
Erschienen in:

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Abstract

Der Artikel geht den Herausforderungen und Lösungen im Zusammenhang mit Untergrundschäden (SSD) bei der Herstellung von Primärsilizium-Wafern nach. Es stellt ein verbessertes Trizact ™ Diamond Tile (TDT) -Produkt vor, das eine signifikante Verringerung der SSD während des Schleifvorgangs zeigt. Die Autoren präsentieren experimentelle Daten und diskutieren die Schlüsselkomponenten und Modifikationen von TDT, um diese Ergebnisse zu erzielen. Der Aufsatz hebt auch die potenziellen Vorteile dieser Innovation hervor, wie die Möglichkeit, nachfolgende Fertigungsschritte zu eliminieren oder zu minimieren, was zu verbesserter Waferqualität und potenziell niedrigeren Produktionskosten führt. Die Forschung ist insbesondere für Fachleute relevant, die die Effizienz und Effektivität von Halbleiterwafer-Herstellungsprozessen verbessern wollen.

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Titel
Reducing Subsurface Damage with Trizact™ Diamond Tile During a Prime Silicon Wafer Grinding Process
Verfasst von
John J. Gagliardi
Vincent D. Romero
Fabian Stolzenburg
Anatoly Z. Rosenflanz
Jason D. Anderson
Publikationsdatum
11.03.2023
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Electronic Materials / Ausgabe 5/2023
Print ISSN: 0361-5235
Elektronische ISSN: 1543-186X
DOI
https://doi.org/10.1007/s11664-023-10326-9
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