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Erschienen in: Semiconductors 1/1998

01.01.1998 | Amorphous, Glassy, and Porous Semiconductors

Relation between the optoelectronic parameters of amorphous hydrogenated silicon films deposited at high temperatures and their microstructure

verfasst von: G. J. Adriaenssens, W. Grevendonk, O. A. Golikova

Erschienen in: Semiconductors | Ausgabe 1/1998

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Metadaten
Titel
Relation between the optoelectronic parameters of amorphous hydrogenated silicon films deposited at high temperatures and their microstructure
verfasst von
G. J. Adriaenssens
W. Grevendonk
O. A. Golikova
Publikationsdatum
01.01.1998
Verlag
Nauka/Interperiodica
Erschienen in
Semiconductors / Ausgabe 1/1998
Print ISSN: 1063-7826
Elektronische ISSN: 1090-6479
DOI
https://doi.org/10.1134/1.1187372

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