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Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics 11/2016

28.06.2016

Relative concentrations of carbon related defects in silicon

verfasst von: S.-R. G. Christopoulos, D. C. Parfitt, E. N. Sgourou, C. A. Londos, R. V. Vovk, A. Chroneos

Erschienen in: Journal of Materials Science: Materials in Electronics | Ausgabe 11/2016

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Abstract

Irradiation induced defects in silicon are technologically important as they impact the electronic properties. Calculations based on density functional theory employing hybrid functionals have been previously used to investigate the structures and relative energies of defect clusters formed between vacancies, self-interstitials, carbon and oxygen atoms in silicon. In this study we employ a model to calculate the relative concentrations of carbon related defects in silicon. It is calculated that the carbon content has a significant impact upon the concentration of carbon-related defects. The CiCs defect is the most populous for all the conditions considered followed by the CiOiSiI and the CiOi defects. CiOiSiI and the CiOi become increasingly important for silicon with high carbon concentrations.
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Metadaten
Titel
Relative concentrations of carbon related defects in silicon
verfasst von
S.-R. G. Christopoulos
D. C. Parfitt
E. N. Sgourou
C. A. Londos
R. V. Vovk
A. Chroneos
Publikationsdatum
28.06.2016
Verlag
Springer US
Erschienen in
Journal of Materials Science: Materials in Electronics / Ausgabe 11/2016
Print ISSN: 0957-4522
Elektronische ISSN: 1573-482X
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-016-5249-z

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