Skip to main content
main-content

Tipp

Weitere Artikel dieser Ausgabe durch Wischen aufrufen

01.07.2010 | Technical Paper | Ausgabe 7/2010

Microsystem Technologies 7/2010

Reliability of RF MEMS switches due to charging effects and their circuital modelling

Zeitschrift:
Microsystem Technologies > Ausgabe 7/2010
Autoren:
Romolo Marcelli, Giancarlo Bartolucci, George Papaioannu, Giorgio De Angelis, Andrea Lucibello, Emanuela Proietti, Benno Margesin, Flavio Giacomozzi, François Deborgies

Abstract

The reliability of RF MEMS switches is typically reduced by charging effects occurring in the dielectrics. The aim of this paper is to discuss these effects, and to propose analytical and equivalent circuit models which account for most of the physical contributions present in the structure.

Bitte loggen Sie sich ein, um Zugang zu diesem Inhalt zu erhalten

Sie möchten Zugang zu diesem Inhalt erhalten? Dann informieren Sie sich jetzt über unsere Produkte:

Springer Professional "Wirtschaft+Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Wirtschaft+Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 69.000 Bücher
  • über 500 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Umwelt
  • Finance + Banking
  • Management + Führung
  • Marketing + Vertrieb
  • Maschinenbau + Werkstoffe
  • Versicherung + Risiko

Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Springer Professional "Technik"

Online-Abonnement

Mit Springer Professional "Technik" erhalten Sie Zugriff auf:

  • über 50.000 Bücher
  • über 380 Zeitschriften

aus folgenden Fachgebieten:

  • Automobil + Motoren
  • Bauwesen + Immobilien
  • Business IT + Informatik
  • Elektrotechnik + Elektronik
  • Energie + Umwelt
  • Maschinenbau + Werkstoffe




Testen Sie jetzt 30 Tage kostenlos.

Literatur
Über diesen Artikel

Weitere Artikel der Ausgabe 7/2010

Microsystem Technologies 7/2010 Zur Ausgabe