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01.03.2007 | Ausgabe 3/2007

Metallurgical and Materials Transactions A 3/2007

Removal of Carbon Contamination on Si Wafers with an Excimer Lamp

Zeitschrift:
Metallurgical and Materials Transactions A > Ausgabe 3/2007
Autoren:
MAYUMI TODE, YASUO TAKIGAWA, TAIZO IGUCHI, HIDEHARU MATSUURA, MASATO OHMUKAI, WATARU SASAKI
Wichtige Hinweise
Manuscript submitted October 14, 2006.

Abstract

Silicon wafers were exposed to light from an Ar excimer lamp in a chamber under argon gas flowing at 1.1 atm after evacuation to ultra-high vacuum 5·10−9 Torr as the base pressure. Auger electron spectroscopic analysis revealed that only 1-minute irradiation reduced the carbon to 18 pct. No Auger signal from carbon can be detected after an irradiation for 10 minutes. We believe that an Ar excimer lamp has a high potential for surface cleaning in semiconductor processing.

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