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01.08.2014 | Ausgabe 8/2014

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 8/2014

Resistive switching in \(\hbox {BiFeO}_3\)-based heterostructures due to ferroelectric modulation on interface Schottky barriers

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 8/2014
Autoren:
Dongxia Chen, Aidong Li, Di Wu

Abstract

Ferroelectric \(\hbox {BiFeO}_3\) (BFO) thin films were deposited on (001) \(\hbox {SrTiO}_3\) substrates buffered with \(\hbox {La}_{0.7}\hbox {Sr}_{0.3}\hbox {MnO}_3\) (LSMO) electrodes. Bipolar resistive switching in Pt/BFO/LSMO heterostructures were observed with high stability and long retention. However, transport characteristics of Pt/BFO/LSMO is highly asymmetric and pronounced resistive switching can only be observed by applying negative reading pulses on the Pt top electrodes, i.e. when the Pt/BFO Schottky barrier is reverse-biased. This resistive switching is discussed in terms of a modulation on the Pt/BFO interface Schottky barrier by the polarization switching in ferroelectric BFO. Comparative studies on Pt/BFO/\(\hbox {SrRuO}_3\) and Pt/BFO/\(\hbox {LaNiO}_3\) heterostructures reveal that the work function of the electrode materials and the formation of Schottky barriers are significant to the observed resistive switching behaviors.

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