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30.03.2016 | Ausgabe 7/2016

Journal of Materials Science: Materials in Electronics 7/2016

Resistive switching memory behaviours of MoSe2 nano-islands array

Zeitschrift:
Journal of Materials Science: Materials in Electronics > Ausgabe 7/2016
Autoren:
Xuejiao Zhang, Haixia Qiao, Xiaofeng Nian, Yong Huang, Xiaofeng Pang

Abstract

The recent discovery of nano-electronics memristor devices has opened up a new wave for high-density logic and memory applications. Herein, the MoSe2 nano-islands array grown on fluorine-doped tin oxide (FTO) substrate was prepared by anodic aluminum oxide template assisted radio frequency magnetron sputtering. Further, a resistive switching memory device with Ag/MoSe2/FTO structure is demonstrated. The device presents stable resistive switching memory behaviours at room-temperature. This study is useful for exploring the multifunctional materials and their applications in nonvolatile memory devices.

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