2. Resistive Switching Memory Devices Based on a Redox-Active Organic Molecule

Das Kapitel befasst sich mit dem Design nichtflüchtiger resistiver Schaltspeicher unter Verwendung des redox-aktiven organischen Moleküls TPDAP. Es werden die Beschränkungen konventioneller Speichermedien und die Vorteile resistiver Random Access Memory (ReRAM) diskutiert. Die Studie konzentriert sich auf die kontrollierten experimentellen Bedingungen mittels TPDAP, die zwei stabile Widerstandszustände zeigen, die durch externe Spannung moduliert werden. Das Kapitel untersucht die selektive Bildung von TPDAP-Filmen, ihre Stromspannungseigenschaften und den resistiven Schaltmechanismus. Es umfasst auch Ex-situ-Studien der On- und Off-States und Kontrollexperimente mit redoxinertem TPHAP. Die Ergebnisse unterstreichen die Bedeutung der molekularen Anordnung und Redoxaktivität im Festkörper für das Design resistiver Schaltspeicher.