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2021 | OriginalPaper | Buchkapitel

5. Results: Integrating the Supersaturated Material in a CMOS Pixel Matrix

verfasst von : Daniel Montero Álvarez

Erschienen in: Near Infrared Detectors Based on Silicon Supersaturated with Transition Metals

Verlag: Springer International Publishing

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Abstract

The information contained in this chapter is the result of the collaboration between the UCM and STMicroelectronics, through an internship financed by the Spanish Ministry of Science and Universities, under grant no. EEBB-I-17-12315. The internship took place between September 1st of 2017 and March 4th of 2018. The aim of the collaboration is to integrate the Ti supersaturated material into a precommercial CMOS Image Sensor route, aiming to explore the viability of this material and the integration challenges that can arise during the fabrication and characterization process of the Focal Plane Array sensors. Most of the chapter is dedicated to the material characterization, although at the end the electrooptical characterisation of Ti implanted devices will be shown and discussed.

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Metadaten
Titel
Results: Integrating the Supersaturated Material in a CMOS Pixel Matrix
verfasst von
Daniel Montero Álvarez
Copyright-Jahr
2021
Buch
Near Infrared Detectors Based on Silicon Supersaturated with Transition Metals

Print ISBN: 978-3-030-63825-2

Electronic ISBN: 978-3-030-63826-9

Copyright-Jahr: 2021

DOI
https://doi.org/10.1007/978-3-030-63826-9_5

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